Ultraviolet waveband metal-doped gallium oxide transparent conductive thin film and preparation method therefor

WO2020015765 Art A1 23. Januar 2020

Anmelder: ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL TECHNOLOGY, SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020015765
Aktenzeichen: EP19837411
Anmeldetag: 17. September 2019
Veröffentlichung: 23. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/35C23C14/02C23C14/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL TECHNOLOGY, SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von