Polarization-induced 2d hole gases for high-voltage p-channel transistors

WO2020018895 Art A1 23. Januar 2020

Anmelder: CORNELL UNIVERSITY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020018895
Aktenzeichen: EP19837736
Anmeldetag: 19. Juli 2019
Veröffentlichung: 23. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/20H01L29/205H01L29/22H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CORNELL UNIVERSITY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cornell University

Die Cornell University ist eine private Universität in Ithaca, New York (USA), die in Forschung und Lehre über zahlreiche natur- und ingenieurwissenschaftliche Fachrichtungen aktiv ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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