Three-dimensional memory device with corrosion-resistant composite spacer
WO2020019149
Art A1
30. Januar 2020
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020019149
- Aktenzeichen
- EP18928064
- Anmeldetag
- 24. Juli 2018
- Veröffentlichung
- 30. Januar 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11524
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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