Liquid high-resistance layer for zinc oxide varistor

WO2020019273 Art A1 30. Januar 2020

Anmelder: TSINGHUA UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020019273
Aktenzeichen: EP18927262
Anmeldetag: 27. Juli 2018
Veröffentlichung: 30. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C04B41/90H01C7/112H01C7/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TSINGHUA UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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