Multiple-stack three-dimensional memory device and fabrication method thereof
WO2020019301
Art A1
30. Januar 2020
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020019301
- Aktenzeichen
- EP18927434
- Anmeldetag
- 27. Juli 2018
- Veröffentlichung
- 30. Januar 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11556
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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