Laterally diffused metal oxide semiconductor device and fabrication method therefor

WO2020024967 Art A1 6. Februar 2020

Anmelder: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020024967
Aktenzeichen: EP19843628
Anmeldetag: 31. Juli 2019
Veröffentlichung: 6. Februar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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