Vertical nonvolatile memory element and thin film transistor comprising aluminum oxide film and polycrystalline metal oxide channel layer crystallization-induced by transition metal

WO2020027532 Art A1 6. Februar 2020

Anmelder: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020027532
Aktenzeichen: EP19843121
Anmeldetag: 30. Juli 2019
Veröffentlichung: 6. Februar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L29/51H01L27/11556H01L27/11582H01L21/02H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um Mess- und Prüftechnik und Software. Anmeldungen laufen von 2011 bis in die Gegenwart.

345 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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