Non-selective and selective etching through alternating layers of materials

WO2020028119 Art A1 6. Februar 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020028119
Aktenzeichen: EP19843714
Anmeldetag: 24. Juli 2019
Veröffentlichung: 6. Februar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/3065H01L21/3213H01L21/768H01L27/11524H01L27/108H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von