Oxide sputtering target and production method therefor, and oxide thin film formed using oxide sputtering target

WO2020031410 Art A1 13. Februar 2020

Anmelder: JX NIPPON MINING&METALS CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2020031410
Aktenzeichen
EP19846552
Anmeldetag
6. März 2019
Veröffentlichung
13. Februar 2020
Rechtsraum
WO
IPC
C23C14/34C04B35/01
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
JX NIPPON MINING&METALS CORPORATION
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 JX Nippon Mining & Metals

JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.

1.069 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen