Resist underlayer film-forming composition, resist underlayer film and formation method therefor, pattern-forming method, and compound and production method therefor
WO2020031733
Art A1
13. Februar 2020
Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020031733
- Aktenzeichen
- EP19847291
- Anmeldetag
- 25. Juli 2019
- Veröffentlichung
- 13. Februar 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/11C08G61/10G03F7/26H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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