Method for producing gan laminate substrate
WO2020031829
Art A1
13. Februar 2020
Anmelder: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020031829
- Aktenzeichen
- EP19847599
- Anmeldetag
- 1. August 2019
- Veröffentlichung
- 13. Februar 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C23C16/02C23C16/34C30B33/06H01L21/02H01L21/20H01L21/205H01L21/265H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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Vertreten von
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