Bonding contacts having capping layer and method for forming the same
WO2020034063
Art A1
20. Februar 2020
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020034063
- Aktenzeichen
- EP18930152
- Anmeldetag
- 13. August 2018
- Veröffentlichung
- 20. Februar 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/528
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Fachgebiete
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