Methods for forming structurally-reinforced semiconductor plug in three-dimensional memory device

WO2020034147 Art A1 20. Februar 2020

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020034147
Aktenzeichen: EP18930487
Anmeldetag: 16. August 2018
Veröffentlichung: 20. Februar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L27/1157H01L27/11582H01L27/11524H01L27/11556

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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