Modification of sno2 surface for euv lithography

WO2020036899 Art A1 20. Februar 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020036899
Aktenzeichen: EP19849765
Anmeldetag: 12. August 2019
Veröffentlichung: 20. Februar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L21/02G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von