Shared source line memory architecture for flash cell byte-alterable high endurance data memory
WO2020037170
Art A1
20. Februar 2020
Anmelder: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020037170
- Aktenzeichen
- EP19762526
- Anmeldetag
- 16. August 2019
- Veröffentlichung
- 20. Februar 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C16/04G11C16/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Microchip Technology
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.
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Fachgebiete
Vertreten von
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