Manufacturing method of silicon carbide epitaxial substrate, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

WO2020039684 Art A1 27. Februar 2020

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020039684
Aktenzeichen: EP19852337
Anmeldetag: 3. Juni 2019
Veröffentlichung: 27. Februar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/42C30B25/20C30B29/36H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von