Oxide semiconductor device and method of manufacturing same

WO2020039971 Art A1 27. Februar 2020

Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION, TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020039971
Aktenzeichen: EP19851655
Anmeldetag: 8. August 2019
Veröffentlichung: 27. Februar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/872H01L21/329H01L21/363H01L21/365H01L29/06H01L29/24H01L29/47H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Electric

Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

37.733 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

Japanische technische Universität in Tokio mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Seit 2024 firmiert sie im Zuge einer Fusion als Institute of Science Tokyo.

1.018 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von