Two-terminal biristor having polysilicon emitter layer inserted therein and manufacturing method therefor

WO2020040510 Art A1 27. Februar 2020

Anmelder: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020040510
Aktenzeichen: EP19852499
Anmeldetag: 20. August 2019
Veröffentlichung: 27. Februar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L21/3205H01L29/861H01L29/66H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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