Three-dimensional memory device containing drain-selct-level air gap and methods of making the same

WO2020040833 Art A1 27. Februar 2020

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020040833
Aktenzeichen: EP19852130
Anmeldetag: 14. Mai 2019
Veröffentlichung: 27. Februar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11582H01L27/11573H01L27/11575H01L27/11563

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

2.373 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von