Data compression circuit, memory device and ic test device and method
WO2020042879
Art A1
5. März 2020
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020042879
- Aktenzeichen
- EP19855734
- Anmeldetag
- 6. August 2019
- Veröffentlichung
- 5. März 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01R31/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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