Through-silicon via (tsv) fault-tolerant circuit, method for tsv fault-tolerance and integrated circuit (ic)

WO2020043089 Art A1 5. März 2020

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2020043089
Aktenzeichen
EP19855751
Anmeldetag
27. August 2019
Veröffentlichung
5. März 2020
Rechtsraum
WO
IPC
H01L23/528H01L27/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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