Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and layered structure

WO2020045233 Art A1 5. März 2020

Anmelder: SCIOCS COMPANY LIMITED, SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020045233
Aktenzeichen: EP19854013
Anmeldetag: 22. August 2019
Veröffentlichung: 5. März 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B25/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: SCIOCS COMPANY LIMITED
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

7.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von