Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and layered structure

WO2020045234 Art A1 5. März 2020

Anmelder: SCIOCS COMPANY LIMITED, SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2020045234
Aktenzeichen
EP19854529
Anmeldetag
22. August 2019
Veröffentlichung
5. März 2020
Rechtsraum
WO
IPC
C30B29/38C30B25/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
SCIOCS COMPANY LIMITED
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

7.414 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen