Nitride semiconductor substrate, method for manufacturing nitride semiconductor substrate, and layered structure

WO2020045235 Art A1 5. März 2020

Anmelder: SCIOCS COMPANY LIMITED, SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020045235
Aktenzeichen: EP19855694
Anmeldetag: 22. August 2019
Veröffentlichung: 5. März 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B23/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SCIOCS COMPANY LIMITED
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von