Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and film formation method for said magnetoresistance effect element
WO2020045655
Art A1
5. März 2020
Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020045655
- Aktenzeichen
- EP19856006
- Anmeldetag
- 30. August 2019
- Veröffentlichung
- 5. März 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8239H01F10/16H01F10/32H01L27/105H01L43/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOHOKU UNIVERSITY
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
Vertreten von
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