Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal ingot and apparatus for growing silicon carbide single crystal ingot

WO2020045833 Art A1 5. März 2020

Anmelder: SKC CO., LTD. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020045833
Aktenzeichen: EP19853877
Anmeldetag: 26. Juli 2019
Veröffentlichung: 5. März 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C30B23/00C30B29/36C30B35/00C30B15/04C30B15/36C30B15/14C30B15/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SKC CO., LTD.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 SKC

SKC ist ein südkoreanischer Chemie- und Materialkonzern, Teil der SK-Gruppe, mit Schwerpunkt Kunststofffolien und Halbleitermaterialien. Der Patentbestand konzentriert sich auf Kunststoff- und Polymertechnik sowie Fertigungs- und Optiktechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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