Two-dimensional semiconductor, p-type doping method therefor, and two-dimensional semiconductor device comprising same
WO2020055013
Art A1
19. März 2020
Anmelder: INSTITUTE FOR BASIC SCIENCE, POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020055013
- Aktenzeichen
- EP19859459
- Anmeldetag
- 30. August 2019
- Veröffentlichung
- 19. März 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/285H01L21/28H01L21/02H01L21/268
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- INSTITUTE FOR BASIC SCIENCE
POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
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