Three-Dimensional Non-Volatile Ferroelectric Memory
WO2020056932
Art A1
26. März 2020
Anmelder: Fudan University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020056932
- Aktenzeichen
- EP18934053
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 26. März 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11504
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fudan University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Fudan University
Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
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