Method for conditioning a plasma processing chamber

WO2020060929 Art A1 26. März 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020060929
Aktenzeichen: EP19863776
Anmeldetag: 16. September 2019
Veröffentlichung: 26. März 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/67C23C16/455H01L21/3065C23C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von