Fin-type super-junction power semiconductor transistor and preparation method therefor
WO2020062829
Art A1
2. April 2020
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020062829
- Aktenzeichen
- EP19867122
- Anmeldetag
- 8. April 2019
- Veröffentlichung
- 2. April 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L29/423H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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