Epitaxial wafer production method, silicon-based substrate for use in epitaxial growth, and epitaxial wafer

WO2020066544 Art A1 2. April 2020

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020066544
Aktenzeichen: EP19867627
Anmeldetag: 6. September 2019
Veröffentlichung: 2. April 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20C30B25/18C30B29/38H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen