Method of forming an rf silicon on insulator device
WO2020072212
Art A1
9. April 2020
Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020072212
- Aktenzeichen
- EP19869715
- Anmeldetag
- 20. September 2019
- Veröffentlichung
- 9. April 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768H01L21/762H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- APPLIED MATERIALS, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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