Method for selective deposition using a base-catalyzed inhibitor

WO2020072329 Art A1 9. April 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020072329
Aktenzeichen: EP19868861
Anmeldetag: 27. September 2019
Veröffentlichung: 9. April 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/033H01L21/308

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von