Apparatus for an inert anode plating cell

WO2020072649 Art A1 9. April 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020072649
Aktenzeichen: EP19869118
Anmeldetag: 2. Oktober 2019
Veröffentlichung: 9. April 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C25D17/00C25D17/12C25D17/06C25D5/08C25D7/12H01L21/67H01L21/687H01L21/288

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von