P-type iii-nitride ohmic electrode structure of low contact resistor

WO2020073285 Art A1 16. April 2020

Anmelder: SUN YAT-SEN UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020073285
Aktenzeichen: EP18936295
Anmeldetag: 11. Oktober 2018
Veröffentlichung: 16. April 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/45H01L31/0224H01L33/36H01S5/042

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUN YAT-SEN UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Sun Yat-Sen University

Die Sun Yat-Sen University ist eine bedeutende chinesische Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Guangzhou. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt um organische Chemie und Pharma. Anmeldungen sind seit 2003 dokumentiert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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