Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2020073901
Art A1
16. April 2020
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020073901
- Aktenzeichen
- EP19870977
- Anmeldetag
- 8. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 16. April 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/48H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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