Method of producing nitride semiconductor film

WO2020075599 Art A1 16. April 2020

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, OSAKA UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020075599
Aktenzeichen: EP19871441
Anmeldetag: 2. Oktober 2019
Veröffentlichung: 16. April 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/203C23C14/06C23C14/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOKYO ELECTRON LIMITED
OSAKA UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

1.047 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von