Methods and apparatus for n-type metal oxide semiconductor (nmos) metal gate materials using atomic layer deposition (ald) processes with metal based precursors

WO2020076710 Art A1 16. April 2020

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020076710
Aktenzeichen: EP19870311
Anmeldetag: 7. Oktober 2019
Veröffentlichung: 16. April 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/28H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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