Doped or undoped silicon carbide deposition and remote hydrogen plasma exposure for gapfill

WO2020081367 Art A1 23. April 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020081367
Aktenzeichen: EP19872871
Anmeldetag: 10. Oktober 2019
Veröffentlichung: 23. April 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/30C23C16/32C23C16/04C23C16/56C23C16/452H01L21/02H01L21/768H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von