Structure of 3d nand memory device and method of forming the same
WO2020082358
Art A1
30. April 2020
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020082358
- Aktenzeichen
- EP18937940
- Anmeldetag
- 26. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 30. April 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11578
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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