Through-silicon via crack detecting apparatus, detecting method, and semiconductor device fabrication method having the same

WO2020083284 Art A1 30. April 2020

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2020083284
Aktenzeichen
EP19875847
Anmeldetag
22. Oktober 2019
Veröffentlichung
30. April 2020
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/66H01L23/544
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen