Semiconductor device and method for producing semiconductor device

WO2020084406 Art A1 30. April 2020

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020084406
Aktenzeichen: EP19875952
Anmeldetag: 17. Oktober 2019
Veröffentlichung: 30. April 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8239H01L27/105H01L21/8242H01L27/108H01L27/1156H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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