Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

WO2020085111 Art A1 30. April 2020

Anmelder: SCIOCS COMPANY LIMITED, SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020085111
Aktenzeichen: EP19876876
Anmeldetag: 10. Oktober 2019
Veröffentlichung: 30. April 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C14/14C23C16/01C23C16/34C30B25/20H01L21/365

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SCIOCS COMPANY LIMITED
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von