Self-aligned vertical integration of three-terminal memory devices

WO2020086566 Art A1 30. April 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020086566
Aktenzeichen: EP19876849
Anmeldetag: 22. Oktober 2019
Veröffentlichung: 30. April 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/11597H01L27/11565H01L27/06H01L29/792H01L29/66H01L27/11587H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von