Wafer stacking method and wafer stacking structure

WO2020088205 Art A1 7. Mai 2020

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2020088205
Aktenzeichen
EP19879215
Anmeldetag
9. Oktober 2019
Veröffentlichung
7. Mai 2020
Rechtsraum
WO
IPC
H01L25/065H01L23/498H01L23/522
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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