Through-silicon via interconnection structure and methods for fabricating same
WO2020088396
Art A1
7. Mai 2020
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020088396
- Aktenzeichen
- EP19878174
- Anmeldetag
- 28. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.