Ldmos device and method for prolonging service life of hot carrier injection effect thereof
WO2020088591
Art A1
7. Mai 2020
Anmelder: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020088591
- Aktenzeichen
- EP19880734
- Anmeldetag
- 31. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L29/08H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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