Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips mit einer Konverterschicht und Leuchtdiodenchip

WO2020088988 Art A1 7. Mai 2020

Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020088988
Aktenzeichen: EP19794935
Anmeldetag: 22. Oktober 2019
Veröffentlichung: 7. Mai 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/44H01L33/50H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

2.892 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von