Yttrium sputtering target and film-forming method using same

WO2020090977 Art A1 7. Mai 2020

Anmelder: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020090977
Aktenzeichen: EP19879416
Anmeldetag: 31. Oktober 2019
Veröffentlichung: 7. Mai 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C23C14/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
TOSHIBA MATERIALS CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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