Time Dependent Dielectric Breakdown Test Structure and Test Method Thereof

WO2020093238 Art A1 14. Mai 2020

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020093238
Aktenzeichen: EP18939156
Anmeldetag: 6. November 2018
Veröffentlichung: 14. Mai 2020
Rechtsraum: WO
IPC: G01R31/12H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von

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